Ram ( Khá chi tiết đây)

Ram

RAM (viết tắt từ Random Access Memory trong tiếng Anh) là một loại bộ nhớ chính của máy tính. RAM được gọi là bộ nhớ truy cập ngẫu nhiên vì nó có đặc tính: thời gian thực hiện thao tác đọc hoặc ghi đối với mỗi ô nhớ là như nhau, cho dù đang ở bất kỳ vị trí nào trong bộ nhớ. Mỗi ô nhớ của RAM đều có một địa chỉ. Thông thường, mỗi ô nhớ là một byte (8 bit); tuy nhiên hệ thống lại có thể đọc ra hay ghi vào nhiều byte (2, 4, 8 byte).

RAM khác biệt với các thiết bị bộ nhớ tuần tự (sequential memory device) chẳng hạn như các băng từ, đĩa; mà các loại thiết bị này bắt buộc máy tính phải di chuyển cơ học một cách tuần tự để truy cập dữ liệu.

Bởi vì các chip RAM có thể đọc hay ghi dữ liệu nên thuật ngữ RAM cũng được hiểu như là một bộ nhớ đọc-ghi, trái ngược với bộ nhớ chỉ đọc ROM (read-only memory).

RAM thông thường được sử dụng cho bộ nhớ chính (main memory) trong máy tính để lưu trữ các thông tin thay đổi, và các thông tin được sử dụng hiện hành. Cũng có những thiết bị sử dụng một vài loại RAM như là một thiết bị lưu trữ thứ cấp (secondary storage).
Thông tin lưu trên RAM chỉ là tạm thời, chúng sẽ mất đi khi mất nguồn điện cung cấp.

Ram tĩnh

Bộ nhớ truy cập ngẫu nhiên tĩnh (SRAM hay RAM tĩnh) là một loại bộ nhớ sử dụng công nghệ bán dẫn. Từ "tĩnh" nghĩa là bộ nhớ vẫn lưu dữ liệu nếu có điện, không như RAM động cần được nạp lại thường xuyên. Không nên nhầm RAM tĩnh với bộ nhớ chỉ đọc và bộ nhớ flash vì RAM tĩnh chỉ lưu được dữ liệu khi có điện.

Thiết kế

Truy cập ngẫu nhiên nghĩa là bất kì một ô nhớ nào cũng đều có thể được đọc và ghi theo bất kì thứ tự nào.

Mỗi bit trong 1 thanh SRAM đơợc chứa trong 4 transistor tạo thành 2 cặp chéo nhau. Ô chứa này có 2 trạng thái 0 và 1. Ngoài ra oòn 2 transistor được sử dụng điều khiển quyền truy cập tới 1 ô nhớ trong quá trình đọc và ghi. Tổng cộng, cần 6 transistor để chứa 1 bit bộ nhớ.

Truy cập tới cell được kích hoạt bởi word line (WL ở trong hình) vốn điều khiển 2 transistor truy cập M₅ và M₆, và khi tới lượt, điều khiển cho tới mỗi cell sẽ được kết nối tới các đường bit: BL và BL. Đường bit được sử dụng đẻ truyền dữ liệu cho cả hai tác vụ đọc và ghi. Mặc dù việc có cả 2 đường bit là không bắt buộc, những hầu hết đều cung cấp cả hai để cải thiện biên nhiễu tín hiệu.

Trong suốt quá trình truy cập đọc, đường bit được điều khiển cao, thấp nhờ bộ đệm trong ô nhớ SRAM. Điều này tăng tốc độ của SRAM so với DRAMs—in a DRAM, the bit line is connected to storage capacitors and charge sharing causes the bitline to swing upwards or downwards. The symmetric structure of SRAMs also allows for differential signalling, which makes small voltage swings more easily detectable. Another difference with DRAM that contributes to making SRAM faster is that commercial chips accept all address bits at a time. By comparison, commodity DRAMs have the address multiplexed in two halves, i.e. higher bits followed by lower bits, over the same package pins in order to keep their size and cost down.

Kích thước của một bộ nhớ SRAM với m đưuòng đại chỉ và n đường dữ liệu là 2^m từ, tức 2^m × n bit.

-----------------------------------------------------------------------

Ram động

Bộ nhớ truy cập ngẫu nhiên động (DRAM hay RAM động) là một loại bộ nhớ truy cập ngẫu nhiên lưu mỗi bit dữ liệu trong một tụ điện riêng biệt trên một mạch tích hợp. Vì các tụ điện bị rò điện tích nên thông tin sẽ bị mất dần trừ khi dữ liệu được nạp lại đều đặn. Đây là điểm khác biệt so với RAM tĩnh. Ưu điểm của DRAM là có cấu trúc đơn giản: chỉ cần một transistor và một tụ điện cho mỗi bit trong khi cần sáu transistor đối với SRAM. Điều này cho phép DRAM lưu trữ với mật độ cao. Vì DRAM mất dữ liệu khi không có điện nên nó thuộc loại thiết bị nhớ bay hơi.

Lịch sử phát triển

DRAM được phát minh bởi tiến sĩ Robert Dennard tại Trung tâm nghiên cứu Thomas J. Watson IBM vào năm 1966 và được cấp bằng sáng chế năm 1968. Tụ điện đã được dùng trong những sơ đồ bộ nhớ đời đầu như: drum của Atanasoff-Berry Computer, ống Williams và ống Selectron.

Vào năm 1969, Honeywell yêu cầu Intel chế tạo cho họ bộ nhớ DRAM sử dụng một cell 3 transistor mà học vừa phát triển. Nó đã trở thành Intel 1102 (1024x1) vào đầu những năm 1970. Tuy nhiên 1102 gặp nhiều lỗi, điều đó khiến Intel bắt đầu làm việc trên những mẫu thiết kế có cải tiến của riêng họ (việc này được tiến hành bí mật nhằm tránh động chạm tới Honeywell). Chính điều này đã dẫn tới sự ra đời của DRAM thương mại đầu tiên có cell 1 transistor - Intel 1103 (1024x1) vào tháng Mười năm 1970 (mặc dù có chút vấn đề vì số lượng tiêu thụ thâp, mãi đến bản sửa đổi thứ 5).

Bộ nhớ DRAM đầu tiên có nhiều địa chỉ hàng/cột là Mostek MK4096 (4096x1) năm 1973.

Nguồn wikipedia.org

vay con viec  nang cap RAM  trung tinh thi sao lai hong thay gi het vay